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申请/专利权人：江西理工大学
摘要：一种高性能双合金扩散钕铁硼磁体及其制备方法，本发明使用Ho34FebalAl0.8Ga0.5Zr0.25B0.98作为辅合金，与主要成分为NdFeB的主合金复合制备得到基体；相比传统单合金添加Ho元素，本发明在充分发挥Ho元素的作用下进一步节约Ho元素的用量，同时Ho元素在磁体主相周围形成一层Ho,Nd2Fe14B相结构，相比Nd2Fe14B相结构更加稳定，防止在后续晶界扩散工艺下受到高温、高扩散源浓度环境的影响，导致扩散源反向扩散至晶界相中，形成反核‑壳结构，降低磁体的剩磁与矫顽力；本发明提升了晶界扩散的效率，同时减少了Ho元素的用量，有效降低了永磁材料的制造成本，同时综合提升了磁体的磁性能。
主权项：1.一种高性能双合金扩散钕铁硼磁体及其制备方法，其特征在于：由主合金和辅合金复合制备得到；质量为100份的磁体中，其中主合金的质量份数为98～99.5，所述主合金的化学式为PrNd27.7Gd2.7FebalCo1CuGaAl0.6Ti0.2B0.98；其中辅合金的质量份数为0.5～0.2；所述辅合金的化学式为Ho34FebalAl0.8Ga0.5Zr0.25B0.98；其中，主合金与辅合金化学式中的数字下标为质量百分比。
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权利要求：
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