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申请/专利权人：杭州电子科技大学
摘要：本发明涉及电力电子领域，具体是一种提高SiCMOSFET开关性能的有源栅极驱动电路及应用，包括从有源栅极电路的漏极引出的驱动电压调节闭环电路，在有源栅极电路上形成闭环搭建的栅极注入电路，以及由MOSFET漏极引出的退饱和电路与基于源极的电流采集电路结合的保护电路。其中，栅极注入电路从栅极引出一电压采集电路，设置两个比较器进行比较，当电压达到设定触发电压范围，与门接通，连接放大器，并入电阻，起到注入电阻的效果，以控制ig的大小，以达到调节电流超调的目的。本发明的有源栅极驱动电路能够有效抑制开通关断过程中的电压电流的超调与振荡，并且能有效保护模块短路问题，不仅提高了可靠性，也提高了器件的安全性。
主权项：1.一种提高SiCMOSFET开关性能的有源栅极驱动电路，其特征在于，包括：从有源栅极电路的漏极引出的驱动电压调节闭环电路，在有源栅极电路上形成闭环搭建的栅极注入电路，以及由MOSFET漏极引出的退饱和电路与基于源极的电流采集电路结合的保护电路。
全文数据：
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百度查询： 杭州电子科技大学 一种提高SiC MOSFET开关性能的有源栅极驱动电路及应用
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