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申请/专利权人:西安微电子技术研究所
摘要:本发明属于存储器技术领域,涉及一种支持多体并发访问的片上存储器访问控制结构,采用双体RAM控制,每个单体RAM控制部分包括单体RAM的访问控制结构和并行访问检测结构;并行访问检测结构包括地址检测机制和读写冲突检测机制,能够在地址不冲突以及读写不冲突的前提下对两个单体RAM的访问控制结构实现多体并发访问。通过将单体RAM拆分成双体RAM,所增加的存储带宽可以匹配总线并行读写带来的带宽匹配,仅需增加地址空间命中判断以及读写互斥即可。该方案具有资源开销低的特点,可适用于当前AXI接口的片上RAM设计中,具有较大的应用价值。
主权项:1.一种支持多体并发访问的片上存储器访问控制结构,其特征在于,采用双体RAM控制,每个单体RAM控制部分包括单体RAM的访问控制结构和并行访问检测结构;并行访问检测结构包括地址检测机制和读写冲突检测机制,能够在地址不冲突以及读写不冲突的前提下对两个单体RAM的访问控制结构实现多体并发访问。
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权利要求:
百度查询: 西安微电子技术研究所 支持多体并发访问的片上存储器访问控制结构、方法、SoC芯片、可读存储介质
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