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申请/专利权人：华羿微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种宽SOA屏蔽栅MOSFET器件，通过在器件有源区中间隔错位或者平行排列而形成沟槽宽度和接触孔宽度的不同版图布局，该布局是通过光刻的方式在器件有源区中间隔错位或者平行排列形成沟槽和接触孔不同宽度，使得该区域拥有更窄的沟槽到接触孔距离，从而在接触孔注入后形成该区域与其他区域不同的浓度梯度，实现在器件导通时其他区域优先开启而该区域延迟开启，最终在其他区域优先开启的情况下，该区域可以作为散热场板从而提升器件整体的SOA。本发明还提供了一种上述器件的制备方法，该器件的制备方法与一般功率器件制造工艺兼容，能够应用于平面型以及沟槽型和屏蔽栅型MOSFET甚至超结MOSFET和IGBT等功率器件当中。
主权项：1.一种宽SOA屏蔽栅MOSFET器件，其特征在于，包括：衬底，所述衬底表面生长有一层外延层，所述外延层沿第一方向上刻蚀有多条平行的沟槽，所述沟槽内设置有沟槽栅；所述外延层表面从上到下依次设置有N+重掺源极层和P型阱区层，所述外延层上淀积有一层绝缘介质层，所述绝缘介质层表面设有一层源极金属层；所述外延层表面沿着平行所述沟槽方向设置有接触孔，所述接触孔的顶部贯穿所述绝缘介质层抵接所述源极金属层，所述接触孔的底部贯穿N+重掺源极层延伸入所述P型阱区层，所述接触孔的底部设置有注入层，所述注入层位于所述P型阱区层内，所述接触孔分布于相邻所述沟槽中间位置；所述沟槽为包括第一部分和第二部分，所述第二部分的宽度大于所述第一部分的宽度，所述接触孔为平滑的条型结构；沿第二方向上不同沟槽的第二部分两端平齐，所述第二部分距离相邻所述接触孔的距离为D2，所述第一部分距离相邻所述接触孔的距离为D1；或相邻所述沟槽的第二部分交错排列，且沿第二方向上第n列沟槽的第二部分与第n-2列沟槽的第二部分两端平齐，所述沟槽的列数大于2，所述第二部分距离相邻所述接触孔的距离为D2，所述第一部分距离相邻所述接触孔的距离为D1；所述第二方向垂直于所述第一方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华羿微电子股份有限公司 一种宽SOA屏蔽栅MOSFET器件及制备方法
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