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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成具有露出基底的开口的有机层；在开口中形成阻断结构材料层，包括保形覆盖开口侧壁以及开口底部，开口侧壁上的第一阻断层围成缝隙，阻断结构材料层还包括位于缝隙中的第二阻断层，第二阻断层的耐刻蚀度大于第一阻断层的耐刻蚀度；去除第二阻断层以及覆盖第二阻断层侧壁的第一阻断层，剩余的第一阻断层作为阻断结构。第二阻断层提高了阻断结构材料层的中间区域的耐刻蚀度，在形成阻断结构的过程中，阻断结构材料层的中间区域不易被过快去除，提高了阻断结构的顶面平坦度，因此阻断结构在后续过程中能起到更好的掩膜作用。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成有机层，所述有机层中具有露出所述基底的开口；在所述开口中形成阻断结构材料层，所述阻断结构材料层包括第一阻断层，所述第一阻断层保形覆盖所述开口侧壁以及所述开口底部，所述开口侧壁上的所述第一阻断层围成缝隙，所述阻断结构材料层还包括位于所述缝隙中的第二阻断层，所述第二阻断层的耐刻蚀度大于所述第一阻断层的耐刻蚀度；去除所述第二阻断层以及覆盖所述第二阻断层侧壁的所述第一阻断层，剩余的所述第一阻断层作为阻断结构，所述阻断结构适于作为图形化所述基底的掩膜；形成所述阻断结构后，去除所述有机层，露出所述基底。
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权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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