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申请/专利权人：杭州电子科技大学

摘要：本发明公开了一种柔性超薄晶硅电池及制备方法，本发明从上到下依次包括第一SiNx薄膜、SiO2钝化薄膜、p型单晶硅片、Al2O3薄膜、第二SiNx薄膜和不锈钢衬底；所述的p型单晶硅片上表面织构化，且p型单晶硅形成n+发射极，得到p‑n结，p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结，发射结上设有金属电极；本发明的晶硅厚度在20‑40微米范围内，相对于已有报道电池结构，本电池在转换效率上具有显著提升。

主权项：1.一种柔性超薄晶硅电池的制备方法，其特征在于：所述柔性超薄晶硅电池从上到下依次包括第一SiNx薄膜、SiO2钝化薄膜、p型单晶硅片、Al2O3薄膜、第二SiNx薄膜和不锈钢衬底；所述的p型单晶硅片上表面织构化，且p型单晶硅形成n+发射极，得到p-n结，其中n+发射极的掺杂浓度为1.0±0.2×1018cm3，p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置金属触点；p型单晶硅片上表面设有选择性发射结，发射结上设有金属电极；所述的第一SiNx薄膜厚度为60-75纳米、SiO2钝化薄膜厚度为8-10纳米、p型单晶硅片厚度为20-40微米、Al2O3薄膜厚度为8-10纳米、第二SiNx薄膜厚度为30-40纳米，不锈钢衬底厚度为1.5-2毫米；其制备方法具体包括以下步骤：步骤一：在厚度为20-40微米掺杂浓度为2.0±0.2×1016cm3的p型单晶硅片背面依次制备Al2O3薄膜和SiNx薄膜；其中Al2O3薄膜厚度为8-10纳米，SiNx薄膜厚度为30-40纳米；所述的p型单晶硅片通过外延法得到；步骤二：对步骤一得到的p型单晶硅片背面采用激光打孔，并在孔内形成p+局部背表面场，并设置金属触点；步骤三：对步骤二得到的p型单晶硅片粘接在1.5-2mm厚的柔性不锈钢衬底上；步骤四：将步骤三得到的产物上表面进行织构化，形成了特征尺寸为1-2um的随机分布的金字塔；步骤五：在步骤四得到的产物上形成n+发射极，得到p-n结，其中n+发射极的掺杂浓度为1.0±0.2×1018cm3；步骤六：在步骤五得到的产物上表面从下到上依次制备了SiO2钝化薄膜、SiNx薄膜；其中SiNx薄膜厚度为60-75纳米、SiO2钝化薄膜厚度为8-10纳米；步骤七：采用局部激光掺杂在步骤六得到的产物上表面形成局域选择性发射结，局域选择性发射结的宽度为200um，片电阻为55±8sq；并在选择性发射结上设置金属电极。

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