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申请/专利权人：青岛佳恩半导体科技有限公司
摘要：本发明提供了一种IGBT功率器件有源层的制造方法及其结构，属于半导体集成电路制造技术领域，该一种IGBT功率器件有源层的制造方法包括步骤S1，提供一衬底，利用外延生长法在半导体衬底的上表面依次生长形成N型区和P型区；步骤S2，采用离子注入工艺在P型区上形成对称的掺杂N型层；步骤S3，采用刻蚀工艺在掺杂N型层刻蚀出第一沟槽，并利用离子注入工艺在第一沟槽内形成掺杂P型层；步骤S4，采用刻蚀工艺在掺杂P型层刻蚀出第二沟槽，并利用离子注入工艺在第二沟槽分别形成P+接触区和N+接触区；位置形成对称的薄膜接触层、接触孔和沟槽栅极，改善了IGBT有源区场强均匀性，从而提高了IGBT在该处抗动态雪崩能力。
主权项：1.一种IGBT功率器件有源层的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，提供一衬底，利用外延生长法在半导体衬底的上表面依次生长形成N型区和P型区；步骤S2，采用离子注入工艺在P型区上形成对称的掺杂N型层；步骤S3，采用刻蚀工艺在掺杂N型层刻蚀出第一沟槽，并利用离子注入工艺在第一沟槽内形成掺杂P型层；步骤S4，采用刻蚀工艺在掺杂P型层刻蚀出第二沟槽，并利用离子注入工艺在第二沟槽分别形成P+接触区和N+接触区；步骤S5，淀积并光刻金属，在P+接触区和N+接触区的上表面形成金属电极；步骤S6，在掺杂N型层之间烧结形成硼磷硅玻璃；步骤S7，采用刻蚀工艺在硼磷硅玻璃和P型区分别刻蚀出一对第三沟槽和一对第四沟槽，第三沟槽位于第四沟槽下方，第三沟槽与第四沟槽连通；步骤S8，接着在第四沟槽的侧壁生长形成薄膜接触层；步骤S9，采用离子注入工艺在一对第三沟槽进行离子注入形成接触注入区，在一对第四沟槽进行离子注入形成接触孔；步骤S10，采用刻蚀工艺在接触孔之间刻蚀出第五沟槽，并利用离子注入工艺在第五沟槽内形成沟槽栅极；步骤S11，在金属电极之间淀积形成表层金属，最终形成有源层；上述第五沟槽贯通硼磷硅玻璃、P型区，并延伸至N型区内，一对第三沟槽和一对第四沟槽分别对称设置在第五沟槽的两侧。
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