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申请/专利权人：SLT科技公司
摘要：根据本公开，提供了与基于III族金属氮化物和镓基衬底的功率光电二极管结构和器件的制造和应用相关的技术。更具体地，本公开的实施方式包括用于制作包括GaN、AlN、InN、InGaN、AlGaN和AlInGaN结构和器件中的一个或多个的光电二极管器件的技术。此类结构或器件能够被用于包括光电子器件、光电二极管、光纤供电接收器等的各种应用。
主权项：1.一种光学组件，包括：第一管芯，包括衬底和设置在第一非吸收体层和第二非吸收体层之间的一个或多个吸收体层，所述一个或多个吸收体层以及所述第一非吸收体层和第二非吸收体层中的每一个包含AlxInyGa1-x-yN，其中0≤x、y、x+y≤1，并且具有低于1010cm-2的位错密度；其中所述一个或多个吸收体层各自具有在第一方向上测得的20nm至500nm的厚度，以及平行于第一平面并垂直于所述第一方向定向的吸收体层表面，所述一个或多个吸收体层具有对应于400纳米与550纳米之间的波长的带隙，所述衬底的厚度为在第一方向上测得的介于10微米与10毫米之间，并且所述光学组件包含光腔区，所述光腔区具有光学窗口，所述光腔区包括：器件腔区，所述器件腔区包括所述衬底、所述一个或多个吸收体层、第一非吸收体层和第二非吸收体层；以及至少两个相对的反射构件，所述至少两个相对的反射构件被配置为使通过所述光学窗口进入的电磁辐射的内反射至少两次或更多次地穿过所述器件腔区；以及夹具，被配置为将光纤的第一端定位为与所述第一管芯的光学窗口的表面有第一距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： SLT科技公司 功率光电二极管、用于将光纤耦接到功率光电二极管的方法以及光纤供电系统
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