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申请/专利权人：圣邦微电子(北京)股份有限公司
摘要：本发明公开了一种过温保护阈值测量装置及其测量方法，该装置包括：基准电压产生单元，用于产生具有恒定温度系数的基准电压；多选一选择开关，用于根据所述控制信号选择输出参考电压和引脚电压的其中之一；以及比较器，在被测芯片的测试模式下，用于基于引脚电压确定预设温度下基准电压的电压值；在被测芯片的正常工作模式下，比较器用于基于参考电压和确定的基准电压确定被测芯片的过温保护阈值。该过温保护阈值测量装置及其测量方法可以在批量生产中测量芯片的过温保护阈值，确保在实际应用中芯片的过温保护阈值能够处于可控的范围内，降低批量芯片的损坏率。
主权项：1.一种过温保护阈值测量装置，其中，包括：基准电压产生单元，用于产生具有恒定温度系数的基准电压；多选一选择开关，第一输入端接收参考电压，第二输入端接收被测芯片的引脚电压，控制端接收控制信号，输出端根据所述控制信号选择输出所述参考电压和所述引脚电压的其中之一；比较器，反相输入端接收所述基准电压，正相输入端与所述多选一选择开关的输出端连接，所述比较器的输出端输出关断信号，所述关断信号用于在有效的状态下实现对芯片的关断控制，其中，在被测芯片的测试模式下，所述多选一选择开关输出所述引脚电压，所述比较器用于基于所述引脚电压确定预设温度下所述基准电压的电压值，预设温度下所述基准电压的电压值等于所述比较器输出的关断信号的电平状态的跳变时刻下的所述引脚电压值；在被测芯片的正常工作模式下，所述多选一选择开关输出所述参考电压，所述比较器用于基于所述参考电压和确定的所述基准电压确定被测芯片的过温保护阈值，被测芯片的过温保护阈值为： 其中，T1为被测芯片的过温保护阈值，VBE_X为预设温度下所述基准电压的电压值，Vref为参考电压的电压值，TC为所述基准电压的温度系数，X为预设温度值。
全文数据：
权利要求：
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