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申请/专利权人：捷捷半导体有限公司
摘要：本申请提供了一种氧化退火方法，涉及半导体退火工艺技术领域。首先将待处理晶片在低温下置于反应炉内；然后通入氧气，将反应炉内的温度升高至阈值温度并维持第一预设时间；最后将反应炉内的温度按小于或等于1℃min的速率进行降温，直至反应炉内的温度恢复至低温，以在氧化退火过程中使待处理晶片的内部缺陷析出至表面。本申请提供的氧化退火方法具有能够修复晶圆内的晶格缺陷，提升晶片应力的优点。
主权项：1.一种氧化退火方法，其特征在于，所述方法包括：将待处理晶片在低温下置于反应炉内；通入1LPM~5LPM的氧气，同时按6~10℃min的速率将反应炉内的温度升高至1200℃~1250℃并维持1~2h；将所述反应炉内的温度按小于或等于1℃min的速率降低至900-1200℃；通入湿氧，并维持第二预设时间，以在所述待处理晶片上生长氧化膜；将所述反应炉内的温度按小于或等于1℃min的速率进行降温，直至所述反应炉内的温度恢复至所述低温，以在氧化退火过程中使所述待处理晶片的内部缺陷析出至表面。
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