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一种高增益光电探测器 

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申请/专利权人:中山大学

摘要:本发明公开了一种高增益光电探测器,包括从下到上依次设置的发射极、基极,吸收层和集电极,还包括周期性量子结构层,所述周期性量子结构层设置于发射极和集电极之间,或设置于基极的内部,或设置于发射极的内部;所述周期性量子结构层包括多个周期的重复结构,且每个周期内含有半导体异质结。本发明的周期性量子结构一方面能够阻挡基极空穴向发射极扩散,提高发射结的电子注入比和晶体管的放大倍数,另一方面可以将有效质量更大的空穴束缚于多层量子结构中而降低复合损失,并使器件中空穴寿命超过电子的输运时间,从而在光电晶体管中产生叠加的光电导增益。

主权项:1.一种高增益光电探测器,其特征在于,包括从下到上依次设置的发射极、基极,吸收层和集电极,还包括周期性量子结构层,所述周期性量子结构层设置于发射极和集电极之间,或设置于基极的内部,或设置于发射极的内部;所述周期性量子结构层包括多个周期的重复结构,且每个周期内含有半导体异质结;所述周期性量子结构层中存在异质结价带带阶形成的一系列空穴势阱层和空穴势垒层;所述周期性量子结构层中同时存在异质结导带带阶形成的一系列电子势阱层和电子势垒层,且电子从电子势阱层中逸出的几率高于空穴从空穴势阱层中逸出的几率;所述周期性量子结构为AlGaNGaN超晶格结构、AlGaNGaN多量子阱结构、AlGaAsGaAs超晶格结构、AlGaAsGaAs多量子阱结构中的其中一种;周期性量子结构中空穴势阱的深度高于3kT,其中,k是玻尔兹曼常量,T是工作温度;单个空穴势垒层的厚度不小于0.5nm。

全文数据:

权利要求:

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