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申请/专利权人：合芯科技(苏州)有限公司;合芯科技有限公司
摘要：本发明提供一种读写分离的半导体多端口存储单元结构及版图结构；其中，存储单元包括：读取区，其布设有与读取端口一一对应的M个读取子单元，于所述读取子单元中布设有第一端口电路；写入区，其布设有锁存子单元和与写入端口一一对应的N写入子单元，于所述写入子单元中布设有第二端口电路；所述锁存子单元包括锁存电路，所述锁存电路分别连接各所述第一端口电路和各所述第二端口电路，使该锁存电路共用于各所述写入子单元和各所述读取子单元；本发明不仅提高器件的并行处理性能，同时也大大地提高存储单元的集成度。
主权项：1.一种读写分离的多端口存储单元结构，其特征在于，适用于读写端口总数大于2的半导体存储器件；所述存储器件的存储阵列中包括并列排布的若干存储单元，和连接各所述存储单元的读写控制电路；其中，单个所述存储单元中，包括：读取区，其布设有与读取端口一一对应的M个读取子单元；于各所述读取子单元中布设有第一端口电路，用于将所述存储单元中的数据读取至对应的所述读取端口；写入区，其布设有锁存子单元和与写入端口一一对应的N写入子单元；于所述写入子单元中布设有第二端口电路，用于将对应端口输入的数据存储至所述存储单元中；所述锁存子单元包括锁存电路，所述锁存电路分别连接各所述第一端口电路和各所述第二端口电路，使该锁存电路共用于各所述写入子单元和各所述读取子单元；各所述写入子单元均布设于所述锁存子单元的上方；其中，M为半导体元器件的读取端口数，N为半导体元器件的写入端口数，且M和N均大于1；所述读写控制电路包括读取控制电路和写入控制电路；所述读取控制电路连接各读取子单元中的第一端口电路，用于通过各第一端口电路，读取所述存储单元中存储的数据；所述写入控制电路连接各所述写入子单元中的第二端口电路，用于通过各第二端口电路，向所述存储单元写入数据。
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百度查询： 合芯科技(苏州)有限公司 合芯科技有限公司 读写分离的多端口存储单元结构及版图结构
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