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申请/专利权人：武汉鑫威源电子科技有限公司
摘要：本发明涉及光通信技术领域，提供了一种外延结构的制备方法，包括如下步骤：S1，于衬底上叠层生长N‑GaN层以及第一限制层，S2，生长完毕后再在所述第一限制层上生长第一栅栏层，S3，再于所述第一栅栏层生长第一波导层，S4，接着再于所述第一波导层上生长第二栅栏层，S5，再于所述第二栅栏层上继续外延生长以得到所述外延结构。还提供一种蓝光激光器的制备方法以及一种蓝光激光器。本发明在第一波导层前后生长了像栅栏一样的垒层，一方面主要是为让电子减速，能更有效的在量子阱区域复合；另一方面能电流能更均匀的分布，降低器件电压。
主权项：1.一种外延结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，于衬底上叠层生长N-GaN层以及第一限制层，S2，生长完毕后再在所述第一限制层上生长第一栅栏层，S3，再于所述第一栅栏层生长第一波导层，S4，接着再于所述第一波导层上生长第二栅栏层，S5，再于所述第二栅栏层上继续外延生长以得到所述外延结构，所述S5步骤中，在生长了所述第二栅栏层后，再于所述第二栅栏层上生长量子阱层，并在所述量子阱层生长完毕后继续生长AlN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉鑫威源电子科技有限公司 蓝光激光器及其制备方法、以及外延结构的制备方法
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