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申请/专利权人：北京航空航天大学

摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种带声波反射结构的氧化锌薄膜体声波谐振器，包括基底、掺杂氧化锌压电薄膜、电极和声波反射结构；掺杂氧化锌压电薄膜包括ZnO主组分以及掺杂组分，在被施加电压时能够产生机械变形，从而激发声波，或将声波信号转换为电信号；电极分别位于掺杂氧化锌压电薄膜两侧，用于施加电压使压电薄膜产生机械振动从而形成声波，或接受声波信号转换的电信号并输出；声波反射结构用以对声波的传播过程进行控制，从而实现声波的调制。本发明有利于高效地激发和检测声波，具有较好的机械性能和稳定性，保证系统的可靠性和长期稳定性。

主权项：1.一种带声波反射结构的氧化锌薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括基底、掺杂氧化锌压电薄膜、电极和声波反射结构；所述基底用以提供支撑和稳定性、隔离外部环境并传递声波；所述掺杂氧化锌压电薄膜在被施加电压时能够产生机械变形，从而激发声波，或将声波信号转换为电信号；所述电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极以层状薄膜形式分别位于掺杂氧化锌压电薄膜两侧，用于施加电压使压电薄膜产生机械振动从而形成声波，或接受声波信号转换的电信号并输出；所述掺杂氧化锌压电薄膜包括氧化锌主组分以及掺杂组分，掺杂组分包括P型掺杂源、N型掺杂源和加工带入掺杂源中的一种或多种的组合；各掺杂组分中的所有元素均以氧化物的形式掺杂到氧化锌压电薄膜中；所述氧化锌主组分在压电薄膜中的含量不低于80mol%；所述P型掺杂源包括含有Mg、Fe、V、Cr中一种元素或多种元素组合的掺杂成分，含量范围7-12mol%；所述N型掺杂源包括含有Al、In、Ga中一种元素或多种元素组合的掺杂成分，含量范围0.1-10mol%，所述加工带入掺杂源为加工过程中带入的掺杂，包括含有Zr元素的掺杂成分，含量范围为0-1.5mol%；所述掺杂氧化锌压电薄膜采用磁控溅射方法得到，根据金属原子的束缚能对各组分进行分组并分别进行靶材制备，并对每一个靶材采用独立的靶枪进行磁控溅射，金属原子的束缚能是指磁控溅射过程中使靶材中的金属原子脱离靶材并成为离位原子态所需的能量；各组分在掺杂氧化锌压电薄膜中各处的实际含量与其预设含量偏差不高于第一阈值，各组分在掺杂氧化锌压电薄膜各处的实际含量之间的偏差不高于第二阈值；所述声波反射结构用以对声波的传播过程进行控制，从而实现声波的调制。

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百度查询： 北京航空航天大学 一种带声波反射结构的氧化锌薄膜体声波谐振器