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申请/专利权人：恩特格里斯公司
摘要：本发明提供一种制备钼和钨氧卤化物化合物的方法，所述氧卤化物化合物适用于将含有钼和钨的薄膜沉积于微电子装置的各个表面上。在本发明方法中，在固态介质中或在包含有包含碱金属盐和或碱土金属盐的共晶掺合物的熔融相反应中加热三氧化钼或三氧化钨。由此形成的钼或钨氧卤化物可以蒸气形式分离且结晶以提供高纯性前驱物化合物，例如MoO2Cl2。
主权项：1.一种化合物，其具有式MoO2Cl2且呈无水的结晶形态，且具有斜方晶晶体系统和以下的单位晶胞尺寸： α＝90° β＝90° γ＝90°。
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