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申请/专利权人：北京航空航天大学
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种多组分掺杂氧化锌压电薄膜制备方法、薄膜及应用，所述多组分掺杂氧化锌包括氧化锌主组分和掺杂组分，所述多组分掺杂氧化锌压电薄膜制备方法包括：确定压电薄膜的各组分及含量，将原子束缚能接近的组分划分为同组并分别进行靶材制备；根据得到的靶材，采用多靶磁控溅射方式，对磁控溅射的工艺参数进行设计，使各组分的沉积速率之比符合各组分的含量比；根据确定的工艺参数进行多靶磁控溅射，得到所述的多组分掺杂氧化锌压电薄膜，本方法提高了制备过程的成分控制精确性和均匀性，所制备的薄膜具有高抗腐蚀性，并提高了薄膜的性能和使用寿命，具有广泛应用前景。
主权项：1.一种多组分掺杂氧化锌压电薄膜制备方法，其特征在于，所述压电薄膜包括氧化锌主组分和掺杂组分，所述掺杂组分在薄膜中的含量范围不高于40mol%，所述掺杂组分包括第一掺杂源、第二掺杂源和第三掺杂源中的一种或多种；所述第一掺杂源以P型掺杂的方式加入到氧化锌压电薄膜中，所述第二掺杂源以N型掺杂的形式加入到氧化锌压电薄膜中，所述第三掺杂源为加工过程中带的掺杂组分入；所述第一掺杂源在薄膜中的含量范围为5-35mol%，包括含有Mg、Fe、V、Cr中的一种或多种元素的掺杂成分；所述第二掺杂源，在薄膜中的含量范围为0.1-5mol%，包括含有Al、In、Ga中的一种或多种元素的掺杂成分；所述第三掺杂源在薄膜中的含量范围为0-0.5mol%，包括含有Zr元素的掺杂成分；掺杂组分中的所有元素均以氧化物的形式掺杂到氧化锌压电薄膜中；所述多组分掺杂氧化锌压电薄膜制备方法包括如下步骤：（1）根据各组分的金属原子束缚能进行分组并分别进行靶材制备，同一组内各金属原子的束缚能差值不大于1.2ev；（2）对得到的每个靶材设置独立的靶枪，采用多靶磁控溅射方式，对多靶磁控溅射过程的工艺参数进行设计，使各组分的沉积速率之比符合各组分的含量比，所述工艺参数包括各靶枪的功率、离子束入射角度、各靶材与基底之间的距离；（3）根据步骤（2）确定的工艺参数进行多靶磁控溅射，得到所述的多组分掺杂氧化锌压电薄膜。
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百度查询： 北京航空航天大学 一种多组分掺杂氧化锌压电薄膜制备方法、薄膜及应用
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