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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体装置。此处所述的一些实施方式包括三维集成电路装置中的多维穿硅通孔结构。多维穿硅通孔结构包括第一宽度的第一柱状结构与第二宽度的第二柱状结构，且第二宽度大于第一宽度。第一柱状结构可包括低电容，且设置以产生电性信号于三维集成电路装置中。第二柱状结构可设置以提供电源至三维集成电路装置的集成电路，亦可设置为经由三维集成电路装置导热以用于三维集成电路装置的热管理。此外，含有第二柱状结构的图案可用于对准目的。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一基板；一个或多个第一介电层，位于该基板上；一个或多个第二介电层，位于该一个或多个第一介电层上；一封环结构，与该一个或多个第二介电层交错；一个或多个第三介电层，位于该一个或多个第二介电层上；一第一柱状结构，贯穿至该基板中以与该封环结构相邻，并包括：一第一侧，与该封环结构相邻；以及一第一上表面，高于一第一近似平面，其中该第一近似平面对应该基板的上表面；一第二柱状结构，贯穿至该基板中以与该第一柱状结构的第二侧相邻，该第一柱状结构的第一侧与第二侧相反，且该第二柱状结构包括：一第二上表面，在一第二近似平面中或高于该第二近似平面，其中该第二近似平面对应该或该些第三介电层的上表面。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置
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