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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种集成电路装置，包括半导体基板、一第一源极漏极结构与一第二源极漏极结构、多个半导体层、栅极结构及内侧间隔物。半导体基板具有上表面；第一源极漏极结构与第二源极漏极结构位于半导体基板上；多个半导体层纵向延伸于第一方向中并连接第一源极漏极结构与第二源极漏极结构，其中半导体层分开并堆叠于第二方向上，第二方向垂直于第一方向，且第二方向垂直于半导体基板的上表面；栅极结构接合并包覆半导体层的中心部分，其中栅极结构包括栅极介电层与栅极；内侧间隔物夹设于第一源极漏极结构与栅极之间，其中内侧间隔物接触栅极介电层的侧壁与栅极的侧壁。
主权项：1.一种集成电路装置，其特征在于，包括：一半导体基板，具有上表面；一第一源极漏极结构与一第二源极漏极结构，位于该半导体基板上；多个半导体层，纵向延伸于一第一方向中并连接该第一源极漏极结构与该第二源极漏极结构，其中多个所述半导体层分开并堆叠于一第二方向上，该第二方向垂直于该第一方向，且该第二方向垂直于该半导体基板的上表面；一栅极结构，接合并包覆该些半导体层的中心部分，其中该栅极结构包括一栅极介电层与一栅极；以及一内侧间隔物，夹设于该第一源极漏极结构与该栅极之间，其中该内侧间隔物接触该栅极介电层的侧壁与该栅极的侧壁。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 集成电路装置
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