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申请/专利权人：浙江格源新材料科技有限公司
摘要：本发明涉及一种基于原位聚合的元素掺杂双层多孔碳的制备方法，包括以下步骤：氧化、多孔碳改性、原位聚合、炭化。所述原位聚合为：经氧化、多孔碳改性后得到的噻吩基硅烷改性多孔碳与噻吩单体进行共聚反应，使聚噻吩原位接枝在多孔碳的表面，形成多孔碳聚噻吩复合材料。最后经炭化后，聚噻吩形成无定型碳层均匀稳定地包覆在多孔碳的表面，形成双层多孔碳；且同时实现结构中形成一层有机硅网状膜，Si‑O键的键能高、稳定性好，最终得到结构稳定、耐化学腐蚀性且孔结构得以完整保持的双层多孔碳。该双层多孔碳，无需经过活化，直接进行气相沉积硅和碳包覆即可制备硅碳负极；组装得到的锂电池的首次可逆容量到1750mAhg以上，循环100次放电容量保持率依然可达到94％以上。
主权项：1.一种基于原位聚合的元素掺杂双层多孔碳的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1氧化：将多孔碳浸泡在液相氧化剂中2～6h，浸泡结束进行漂洗、干燥得到氧化多孔碳；S2多孔碳改性：将氧化多孔碳分散在溶剂Ι与噻吩基硅烷的混合液中，加热回流反应，得到噻吩基硅烷改性多孔碳；S3原位聚合：将噻吩基硅烷改性多孔碳、噻吩、引发剂加入到溶剂Ⅱ中，惰性气氛下于50～80℃搅拌反应4～10h，得到多孔碳聚噻吩复合材料；S4炭化：将多孔碳-聚噻吩复合材料进行炭化，得到双层多孔碳。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江格源新材料科技有限公司 基于原位聚合的元素掺杂双层多孔碳的制备方法和应用
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