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申请/专利权人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司
摘要：本公开提供了一种晶圆及其缺陷的检测方法，该检测方法可以包括：对于待测晶圆沿直径方向裂解后的裂解样品，在裂解面与裂解样品主表面的结合处，通过红外线激光散射层析方式按照设定的距离间隔测量每个检测区间的晶体原生颗粒COP缺陷密度；当所有检测区间的COP缺陷密度均小于或等于设定的密度阈值时，确定所述待测晶圆为无COP缺陷的晶圆。
主权项：1.一种晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：对于待测晶圆沿直径方向裂解后的裂解样品，在裂解面与裂解样品主表面的结合处，通过红外线激光散射层析方式按照设定的距离间隔测量每个检测区间的晶体原生颗粒COP缺陷密度；其中，所述检测区间以在所述结合处按照所述距离间隔区分得到；当所有检测区间的COP缺陷密度均小于或等于设定的密度阈值时，确定所述待测晶圆为无COP缺陷的晶圆。
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百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种晶圆及其缺陷的检测方法
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