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单层TMDC二维材料及其制备方法 

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申请/专利权人:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

摘要:本申请公开了一种单层TMDC二维材料及其制备方法,制备方法包括在衬底表面形成薄层TMDC材料,得到预处理样品;将预处理样品放置在超高真空环境中,导入飞秒激光辐射预处理样品以使薄层TMDC材料解离,得到单层TMDC二维材料。本申请利用飞秒激光对薄层TMDC材料进行解离,能够制备高质量单层TMDC二维材料;在飞秒激光辐射时,采用荧光显微镜和拉曼光谱仪实时监测,能够保证制备的单层TMDC二维材料的质量;在飞秒激光辐射过程中,可基于荧光显微镜和拉曼光谱仪的实时检测结果,调节发射飞秒激光的飞秒激光解离模块的功率和时域分布,有助于精准地控制TMDC材料的解离过程,保证单层TMDC材料的质量;在超高真空环境下进行飞秒激光辐射,能有效避免空气的吸附。

主权项:1.一种单层TMDC二维材料的制备方法,其特征在于,包括:在衬底表面形成薄层TMDC材料,得到预处理样品;将所述预处理样品放置在超高真空环境中,导入飞秒激光辐射所述预处理样品以使所述薄层TMDC材料解离,得到单层TMDC二维材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 单层TMDC二维材料及其制备方法

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