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申请/专利权人：重庆师范大学
摘要：本发明的超薄NiFeLDH纳米片阵列，所述纳米片阵列为极薄的交错纳米片生长在导电基底上形成的单分散二维结构，所述纳米片阵列的厚度为3.5‑4.8nm；其制备方法包括以下步骤：将镍盐、铁盐和钠盐的混合水溶液加热后浸入导电基底，清洗烘干后进行刻蚀，制得超薄NiFeLDH纳米片阵列u‑NiFeLDH；通过简易的方法即能实现对LDH催化剂的超薄纳米片阵列的制备，够提高OER活性和稳定性，通过超薄NiFeLDH纳米片阵列与GQDs复合制备的超薄GQDsu‑NiFeLDH阵列具有十分优异的析氧电催化性能，在电流密度10mAcm‑2时，其过电位可以仅为156mV。
主权项：1.一种超薄NiFeLDH纳米片阵列，其特征在于：所述纳米片阵列为极薄的交错纳米片生长在导电基底上形成的单分散二维结构，所述纳米片阵列的厚度为3.5-4.8nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆师范大学 一种超薄NiFe LDH纳米片阵列、复合纳米片阵列及其制备方法
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