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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基电子发射源的制备方法包括：获取多孔硅层；采用恒压模式的电化学氧化法处理多孔硅层，以将多孔硅层充分且均匀氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法采用恒压模式的电化学氧化方法对多孔硅层进行氧化处理，能够充分均匀钝化多孔硅层，从而有效提高多孔硅基电子发射源的电子发射效率。相比传统快速热氧化、高温水蒸气退火、高温热碳化等工艺，电化学氧化方法具备常温、大面积、低成本等优势，有望大规模用于制备真空微电子器件的片上高效电子源，满足未来真空微电子器件的高度集成与多功能化发展需求。
主权项：1.一种多孔硅基电子发射源的制备方法，其特征在于，包括：获取多孔硅层；采用恒压模式的电化学氧化法处理所述多孔硅层，以将所述多孔硅层充分且均匀氧化；对电化学氧化处理后的所述多孔硅层进行热退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备
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