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申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司
摘要：本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法。所述器件包括：衬底以及形成于衬底上的体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构。源区包括横向源区及纵向源区，横向源区埋入体区的底部，纵向源区延伸至体区的底部与横向源区相接。栅极结构包括横向栅、纵向栅、第一氧化层及第二氧化层，横向栅及第二氧化层位于体区及漂移区的上方，横向栅与第二氧化层相接构成横向栅极结构，横向栅极结构同时作为场板结构；纵向栅与横向栅连接，纵向栅及第一氧化层嵌入体区内，第一氧化层与纵向源区相接，纵向栅与第一氧化层相接构成纵向栅极结构。本发明的LDMOSFET器件提高了击穿电压，降低导通电阻。
主权项：1.一种LDMOSFET器件，包括：衬底以及形成于衬底上的体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，其特征在于，所述源区包括横向源区及纵向源区，所述横向源区埋入所述体区的底部，所述纵向源区延伸至所述体区的底部与所述横向源区相接；所述栅极结构包括横向栅、纵向栅、第一氧化层及第二氧化层；所述横向栅及所述第二氧化层位于所述体区及所述漂移区的上方，所述横向栅与所述第二氧化层相接构成横向栅极结构，所述横向栅极结构同时作为场板结构；所述纵向栅与所述横向栅连接，所述纵向栅及所述第一氧化层嵌入所述体区内，所述第一氧化层与所述纵向源区相接，所述纵向栅与所述第一氧化层相接构成纵向栅极结构。
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权利要求：
百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 LDMOSFET器件及制造方法
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