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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本公开涉及制造电子器件的方法和电子器件。该电子器件包括衬底。该方法包括：在衬底上形成伪栅，其中伪栅的顶表面上具有第一区域以及不同于该一区域的第二区域，并且其中第一区域含有氮化硅，第二区域含有氧化硅。该方法还包括：对伪栅的第二区域进行氮化而不对伪栅的第一区域进行氮化，从而仅在第二区域上方形成氮氧化硅保护层。根据上述方法，可以防止在制造电子器件期间形成牛角状的凸起，从而确保电子器件的成品率。
主权项：一种制造电子器件的方法，所述电子器件包括衬底，所述方法包括：在所述衬底上形成伪栅，其中所述伪栅的顶表面上具有第一区域以及不同于所述第一区域的第二区域，并且其中所述第一区域含有氮化硅，所述第二区域含有氧化硅；以及对所述伪栅的所述第二区域进行氮化而不对所述伪栅的所述第一区域进行氮化，从而仅在所述第二区域上方形成氮氧化硅保护层。
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百度查询： 华为技术有限公司 制造电子器件的方法和电子器件
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