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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了半导体器件以及包括半导体器件的数据存储系统。所述半导体器件包括：第一半导体结构，其包括基板、位于所述基板上的电路器件、和位于所述电路器件上的电路互连线；以及第二半导体结构，其位于所述第一半导体结构上并且具有第一区域和第二区域，其中，所述第二半导体结构包括：板层；栅电极；第一沟道结构，其位于所述第一区域中；第二沟道结构，其位于所述第一区域中；以及接触插塞，其位于所述第二区域中，所述栅电极包括在所述第一区域中在所述垂直方向上具有第一厚度的第一栅电极以及在所述第一区域中在所述垂直方向上具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二栅电极，并且所述第二栅电极公共地连接到所述接触插塞中的一个接触插塞。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括基板、位于所述基板上的电路器件、和位于所述电路器件上的电路互连线；以及第二半导体结构，所述第二半导体结构位于所述第一半导体结构上并且具有第一区域和第二区域，其中，所述第二半导体结构包括：板层；栅电极，所述栅电极包括在所述板层上沿与所述板层的上表面垂直的垂直方向按次序堆叠并彼此间隔开的下选择栅电极、存储栅电极和上选择栅电极；第一沟道结构，所述第一沟道结构在所述第一区域中穿透所述下选择栅电极和所述存储栅电极并且在所述垂直方向上延伸；第二沟道结构，所述第二沟道结构在所述第一区域中穿透所述上选择栅电极，在所述垂直方向上延伸，并且分别连接到所述第一沟道结构；以及接触插塞，所述接触插塞在所述第二区域中穿透所述栅电极，在所述垂直方向上延伸，并且将所述栅电极电连接到所述电路互连线的一部分，其中，所述栅电极包括在所述第一区域中在所述垂直方向上具有第一厚度的第一栅电极以及在所述第一区域中在所述垂直方向上具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二栅电极，并且其中，所述第二栅电极公共地连接到所述接触插塞中的一个接触插塞。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件以及包括半导体器件的数据存储系统
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