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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：提供了一种用于在蚀刻室中在图案化掩模下方蚀刻堆叠件中的特征的方法。用冷却剂温度低于‑20℃的冷却剂冷却堆叠件。使蚀刻气体流入蚀刻室。由蚀刻气体产生等离子体。相对于图案化的掩模将特征选择性地蚀刻到堆叠件中。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括：a将衬底支撑在等离子体处理系统的室中的卡盘上，所述衬底包括含硅膜，并且所述卡盘具有下电极；b将所述衬底冷却到低于-20℃的温度；c提供含卤素气体；d提供H2气体；以及e由所述含卤素气体和所述H2气体生成等离子体，其中所述等离子体在所述含硅膜中蚀刻特征，并在所述特征的侧壁上沉积侧壁钝化。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 在电介质中的高深宽比特征的等离子体蚀刻化学过程
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