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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
摘要：本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。
主权项：1.一种氧化物半导体层，其中，使用束径的半宽度为1nm的电子束在使所述氧化物半导体层的位置与所述电子束的位置相对地移动的同时对形成有所述氧化物半导体层的面进行照射，由此观察到所述氧化物半导体层具有多个电子衍射图案，所述多个电子衍射图案具有在不同的观察区域观察的50个以上的电子衍射图案，所述多个电子衍射图案随机取向，第一电子衍射图案的百分比与第二电子衍射图案的百分比之和占所述50个以上的电子衍射图案的100％，所述第一电子衍射图案占所述50个以上的电子衍射图案的90％以上，所述第一电子衍射图案包括表示c轴取向大致垂直于形成有所述氧化物半导体层的所述面的方向的观察点，并且，所述第二电子衍射图案包括不对称的观察点或配置为环状的观察区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备
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