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申请/专利权人：合肥艾创微电子科技有限公司
摘要：本发明提供碳化硅P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管包括P+型源区与P型漏区，P+型源区与P型漏区之间通过N型基区形成可控的电连接路径；栅极跨越连接P+型源区与P型漏区的N型基区表面，通过栅极电压控制所述电连接路径的通断；漏极金属电极电连接P型漏区，源极金属电极电连接P+型源区；所述N型基区、所述P型漏区均为碳化硅基底掺杂，P+型源区的材料为单晶硅或者多晶硅。本发明通过在碳化硅MOSFET中将源区材料由SiC基底更改为其他基底材料，通过源区的材料变化间接地提高了N型基区中沟道区的载流子迁移率，从而可以明显地提升P沟道碳化硅MOSFET的导电能力。
主权项：1.一种碳化硅P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括P+型源区12与P型漏区13，P+型源区12与P型漏区13之间通过N型基区11形成可控的电连接路径；栅极141跨越连接P+型源区12与P型漏区13的N型基区11表面，通过栅极141电压控制所述电连接路径的通断；漏极金属电极133电连接P型漏区13，源极金属电极121电连接P+型源区12；所述N型基区11、所述P型漏区13均为碳化硅基底掺杂，所述P+型源区12的基底为硅材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥艾创微电子科技有限公司 碳化硅P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
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