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申请/专利权人：东海炭素株式会社
摘要：本公开的目的在于提供低电阻的SiC成型体和上述SiC成型体的制造方法。本公开提供一种SiC成型体，其体积电阻率为7.0×10‑3Ω·cm以下，氮浓度在超过1000ppm且小于等于4500ppm的范围内。
主权项：1.一种SiC成型体，其体积电阻率为7.0×10-3Ω·cm以下，氮浓度在超过1000ppm且小于等于4500ppm的范围内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东海炭素株式会社 SiC成型体及SiC成型体的制造方法
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