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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本文公开了示例性存储器件和用于对存储器件进行编程的方法。在一个方面，一种存储器件包括被配置为存储程序代码的存储器和处理器。处理器可以被配置为利用第一阶跃电压值对存储器件的存储单元执行第一编程。该处理器还被配置为确定满足阶跃电压增加条件。处理器还可以被配置为利用第二阶跃电压值对存储器件的存储单元执行第二编程。第二阶跃电压值比第一阶跃电压值大增量电压值。
主权项：1.一种用于操作具有存储单元的存储器件的方法，所述方法包括：利用第一阶跃电压值对所述存储器件的存储单元执行第一编程；确定满足阶跃电压增加条件；以及利用第二阶跃电压值对所述存储单元执行第二编程，其中，所述第二阶跃电压值比所述第一阶跃电压值大增量电压值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 减少3D NAND存储器系统中的编程操作时间的方法
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