龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：意法半导体国际公司
摘要：本公开涉及在碳化硅功率电子器件中制造局部离子注入的方法。制造过程规定：形成具有前表面的碳化硅半导体本体；执行局部离子注入以在半导体本体中的注入部分中形成注入区。执行局部离子注入的步骤提供：在所述前表面处形成损伤区，所述损伤区在平行于所述前表面的方向上由所述注入部分彼此分隔；执行沟道式离子注入，用于在半导体本体内注入掺杂离子并在半导体本体的注入部分处形成注入区。以相对于损伤区自对准的方式执行沟道式离子注入，所述损伤区表示碳化硅晶格的损伤区，以便阻挡沟道式离子注入在半导体本体的深度方向上沿着与前表面正交的竖直轴线的传播。
主权项：1.一种制造方法，包括：形成具有表面的碳化硅半导体本体；以及执行局部离子注入，从而在所述半导体本体的注入部分中形成注入区，执行所述局部离子注入包括：在所述表面处形成损伤区，所述损伤区沿与所述表面平行的方向上由所述注入部分彼此分隔；以及执行沟道式离子注入，以在所述半导体本体内注入掺杂离子，从而在半导体本体的所述注入部分处形成所述注入区，以及其中以相对于所述损伤区自对准的方式执行所述沟道式离子注入，从而构成所述碳化硅晶格的所述损伤区，以阻挡所述沟道式离子注入沿着与所述表面正交的轴线在所述半导体本体的深度方向上的传播。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 意法半导体国际公司 在碳化硅功率电子器件中制造局部离子注入的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号