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申请/专利权人：上海华芯聚创技术有限公司
摘要：本发明涉及压电晶体黑片的制备方法及黑化制备过程专用施胶装置，包括如下步骤：1施胶：将批量压电晶片竖着排放好，控制每两片压电晶片之间的间隙小于2mm，而后将排放好的批量压电晶片整体浸渍于还原浆液中，完成压电晶片的施胶；所述还原浆液包括如下重量百分比成分：还原剂5‑10％、短纤维2‑5％、胶液85‑93％；2黑化：将完成施胶后的批量压电晶片取出沥干，初步沥干后将批量压电晶片置于保护气氛下进行还原反应，清洗；3重复步骤1至步骤2的操作多次后即得到批量的压电晶体黑片；本发明方法通过控制晶片与晶片之间的间距，可以得到质量较好的黑化晶圆。
主权项：1.压电晶体黑片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1施胶：将批量压电晶片竖着排放好，控制每两片压电晶片之间的间隙小于2mm，而后将排放好的批量压电晶片整体浸渍于还原浆液中，完成压电晶片的施胶；所述还原浆液包括如下重量百分比成分：还原剂5-10％、短纤维2-5％、胶液85-93％；2黑化：将完成施胶后的批量压电晶片取出沥干，初步沥干后将批量压电晶片置于保护气氛下进行还原反应，清洗；3重复步骤1至步骤2的操作多次后即得到批量的压电晶体黑片。
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权利要求：
百度查询： 上海华芯聚创技术有限公司 压电晶体黑片的制备方法及黑化制备过程专用施胶装置
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