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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
摘要：本发明涉及一种变温的高In组分InGaAs探测器缓冲层的生长方法，属于半导体材外延材料的制备技术领域。本发明主要是在InP衬底上在不同的温度下依次生长材料InxGa1‑xAs、InAsxP1‑x或InxAl1‑xAs中的任意一种，从而形成低温层、中温层和高温层，本发明的生长方法可以用于生长峰值响应波长介于1.7μm～2.9μm之间的高In组分InGaAs探测器，具有以下优点：1降低外延材料缺陷密度获得高质量的高In组分InGaAs外延材料2采用三步法可以降低InGaAs拓展波长探测器缓冲层厚度，提高器件的响应速度。
主权项：1.一种变温的高In组分InGaAs探测器缓冲层的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括如下步骤：1将InP衬底载入金属有机物化学汽相沉积或分子束外延方法的设备反应室中，在温度为600～750℃、压力为50～150mbar的条件下处理以消除表面杂质与氧化层；2在温度为400～500℃的条件下生长InxGa1-xAs、InAsyP1-y或InxAl1-zAs中的任意一种，形成低温层；3在一个温度为500～600℃的条件下生长InxGa1-xAs、InAsyP1-y或InzAl1-zAs中的任意一种，形成中温层，其中所述中温层的成分与低温层成分相同；4将步骤3中形成中温层的衬底维持在500～700℃的温度下10～120min，对已生长形成的低温和中温层进行退火处理；5在温度为600～700℃的条件下生长形成梯度渐变缓冲层，所述梯度渐变缓冲层中各层材料含有的元素种类相同但每一层中各个元素的含量并不相同，所述梯度渐变缓冲层的最底层的材料为Inx+wGa1-x+wAs、InAsy+wP1-y+w或Inz+wAl1-z+wAs中的任意一种，所述梯度渐变缓冲层的最底层到最顶层的材料中w依次增大，其中所述w大于等于0；其中x的取值范围为0.53～1、y的取值单位0～1、z的取值范围为0.53～1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十四研究所 一种变温的高In组分InGaAs探测器缓冲层的生长方法
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