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申请/专利权人：新存科技(武汉)有限责任公司
摘要：本申请提供了存储器及存储器的制备方法，所述存储器的制备方法，包括步骤：形成存储单元；在所述存储单元的侧壁形成第一保护层；在所述第一保护层远离所述存储单元的一侧形成硅过量的氮化硅膜层；及对氮化硅膜层的表面进行氧化处理，将所述氮化硅膜层的至少部分氧化成含有氮元素、氧元素及硅元素且氧过量的氮氧化硅膜层。本申请提供的存储器及存储器的制备方法能够降低存储器的保护层中的自然氧化层的比例，提高保护层对存储单元的保护作用。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：存储单元；第一保护层，位于所述存储单元的侧壁上；其中，所述第一保护层背离所述存储单元的一侧的材料包括氮元素、氧元素及硅元素，且所述氧元素的含量大于所述氮元素的含量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 新存科技(武汉)有限责任公司 存储器及其制备方法
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