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一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构 

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申请/专利权人:华东光电集成器件研究所

摘要:本发明涉及一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构,硅压阻式压力传感器芯片由R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥组成,在桥臂电阻R2上并联一个低温漂系数电阻Ra、以及在另一个不相连的桥臂R3上串联低温漂系数电阻Rb,在电桥的输出端分别接入低温度系数电阻R以及正温度系数热敏电阻Rp,以此补偿灵敏度温度漂移本发明提高压力传感器的测量精度,并且在电桥输入端增加可调电压模块,可对电桥输出量进行调整,弥补输出损耗,硬件电路结构简单,补偿效果显著且传感器输出损耗小。

主权项:1.一种硅压阻式压力传感器的灵敏度温度补偿结构,硅压阻式压力传感器芯片包括R1、R2、R3与R4四个压敏电阻构成的电桥,其特征在于:在一个桥臂压敏电阻上并联一个低温漂系数电阻Ra、以及在另一个不相连的桥臂压敏电阻上串联另一个低温漂系数电阻Rb,以此平衡4个桥臂的压敏电阻由于实际工艺制造产生的零位偏差。

全文数据:

权利要求:

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