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申请/专利权人：南京理工大学
摘要：本发明公开了一种磁控溅射制备的自旋零能隙半导体Mn2CoGa薄膜及其方法。该Mn2CoGa薄膜具有低的载流子浓度和高的迁移率，利用磁控溅射法制备，通过Ar离子轰击Mn2CoGa靶材，在SiO2Si衬底上沉积薄膜，并通过调节背底气压、溅射气压、溅射功率、衬底温度、退火温度、退火时间等条件，得到了具有较强的立方结构特征峰且表面平整致密的Mn2CoGa薄膜，10K下载流子浓度为51020cm3，迁移率为25cm2Vs，同时电导率随温度升高而增大，有望应用于自旋注入与自旋晶体管器件。
主权项：1.一种用于自旋电子器件的自旋零能隙半导体Mn2CoGa薄膜，其特征在于，该Mn2CoGa薄膜具有低的载流子浓度和高的迁移率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京理工大学 一种磁控溅射制备的自旋零能隙半导体Mn2CoGa薄膜及其方法
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