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申请/专利权人:三星电子株式会社
摘要:公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件可以包括:衬底,包括第一单元有源图案和第二单元有源图案以及虚设有源图案;单元栅介电层,在第一单元有源图案和第二单元有源图案以及虚设有源图案上;第一单元栅导电层,在单元栅介电层上;以及位线结构,连接到第一单元有源图案。第二单元有源图案与虚设有源图案之间的距离小于第一单元有源图案与虚设有源图案之间的距离。第一单元栅导电层可以包括虚设重叠部分和单元重叠部分,虚设重叠部分与虚设有源图案和第二单元有源图案重叠,单元重叠部分与第一单元有源图案重叠。虚设重叠部分的顶表面可以位于比单元重叠部分的顶表面的水平高的水平处。
主权项:1.一种半导体器件,包括:衬底,包括第一单元有源图案、第二单元有源图案和虚设有源图案;单元栅介电层,在所述第一单元有源图案、所述第二单元有源图案和所述虚设有源图案上;第一单元栅导电层,在所述单元栅介电层上;以及位线结构,电连接到所述第一单元有源图案,其中,所述第二单元有源图案与所述虚设有源图案之间的距离小于所述第一单元有源图案与所述虚设有源图案之间的距离,其中,所述第一单元栅导电层包括,虚设重叠部分,与所述虚设有源图案和所述第二单元有源图案重叠,以及单元重叠部分,与所述第一单元有源图案重叠,并且其中,所述虚设重叠部分的顶表面位于比所述单元重叠部分的顶表面的水平高的水平处。
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