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申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：提供碳化硅半导体装置及其制造方法，能够抑制耐压构造部的可靠性受损。遍及有源部和耐压构造部地设置有漂移层，有源部具有：p型的基区，设置于漂移层的上表面侧；n型的主区，设置于基区的上表面侧；p型的埋入区，与基区相接地设置于漂移层的上表面侧；p型的基极接触区，与主区相接地设置于埋入区的上表面侧；栅极电极，设置于贯通主区和基区的沟槽内；主电极，与主区及基极接触区相接地设置，耐压构造部具有：p型的电场缓和区，设置于漂移层的上表面侧；绝缘膜，设置于电场缓和区的上表面，主区和基极接触区的各区中，至少以下部分即与主电极相接的部分包含3C‑SiC，电场缓和区其上部包含3C‑SiC且其下部由4H‑SiC构成。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置，其中，具备有源部和以在俯视时包围所述有源部的周围的方式设置的耐压构造部，遍及所述有源部和所述耐压构造部地设置有由碳化硅构成的第一导电型的漂移层，所述有源部具有：由碳化硅构成的第二导电型的基区，其设置于所述漂移层的上表面侧；由碳化硅构成的第一导电型的主区，其设置于所述基区的上表面侧；由碳化硅构成的第二导电型的埋入区，其与所述基区相接地设置于所述漂移层的上表面侧；由碳化硅构成的第二导电型的基极接触区，其与所述主区相接地设置于所述埋入区的上表面侧；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜设置于贯通所述主区和所述基区的沟槽的内侧；以及主电极，其与所述主区及所述基极接触区相接地设置，所述耐压构造部具有：由碳化硅构成的第二导电型的电场缓和区，其设置于所述漂移层的上表面侧；以及绝缘膜，其设置于所述电场缓和区的上表面，所述主区和所述基极接触区的各区中，至少以下部分即与所述主电极相接的部分包含3C结构的碳化硅，所述电场缓和区的上部包含3C结构的碳化硅，所述电场缓和区的下部由4H结构的碳化硅构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 碳化硅半导体装置及其制造方法
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