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背对背三维叠层扇出封装结构及其制备方法、背对背三维叠层扇出封装模组及其制备方法 

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申请/专利权人:广东省科学院半导体研究所

摘要:本发明公开一种背对背三维叠层扇出封装结构及其制备方法,并公开了应用该封装结构的封装模组及其制备方法,封装结构包括至少一组叠层芯片,每组叠层芯片均包括至少一个功能面朝向第一方向的芯片和至少一个功能面朝向第二方向的芯片;包封材料层,其包封住叠层芯片;位于包封材料层的其中一侧的与功能面朝向第一方向的芯片电气连通的第一再布线层;位于包封材料层的另一侧的与功能面朝向第二方向的芯片电气连通的第二再布线层;用于将第一再布线层和第二再布线层电气连通的垂直互连导电结构。本发明的方案无需进行芯片TSV叠层,且叠层芯片能以最短的垂直互连方式电气连通,在保证较高互连密度和传输性能的同时,降低封装成本,提高封装良率。

主权项:1.一种背对背三维叠层扇出封装结构,其特征在于,包括:至少一组叠层芯片,每组叠层芯片均包括至少一个功能面朝向第一方向的芯片和至少一个功能面朝向第二方向的芯片,其中,第一方向和第二方向为相反的方向;包封材料层,其包封住所述叠层芯片;位于包封材料层的其中一侧的与功能面朝向第一方向的芯片电气连通的第一再布线层;位于包封材料层的另一侧的与功能面朝向第二方向的芯片电气连通的第二再布线层;用于将第一再布线层和第二再布线层电气连通的垂直互连导电结构,所述垂直互连导电结构的至少部分部段设置在所述包封材料层中。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东省科学院半导体研究所 背对背三维叠层扇出封装结构及其制备方法、背对背三维叠层扇出封装模组及其制备方法

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