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存储器及存储器系统 

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申请/专利权人:新存科技(武汉)有限责任公司

摘要:本申请提供了存储器及存储器系统,存储器包括第一电极及存储层,包括第一子电极层和第二子电极层,存储层位于第一电极一侧,所述第一电极还包括第一缓冲层,所述第一缓冲层位于所述第一子电极层和第二子电极层之间。本申请提供的存储器及存储器系统能够降低电极的粗糙度,从而提升存储器的存储层的各种电性参数的良率。

主权项:1.一种存储器,其特征在于,包括:第一电极,包括第一子电极层及第二子电极层;存储层,位于第一电极一侧;其中,所述第一电极还包括第一缓冲层,所述第一缓冲层位于所述第一子电极层和第二子电极层之间。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 新存科技(武汉)有限责任公司 存储器及存储器系统

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