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一种硅晶片糙面减薄蚀刻液及其制备方法与应用 

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申请/专利权人:浙江奥首材料科技有限公司

摘要:本发明涉及一种硅晶片糙面减薄蚀刻液及其制备方法与应用,所述的硅晶片糙面减薄蚀刻液按照重量份计算,包括如下组分:硝酸15‑20份;纤维素类增稠剂1‑5份;酸性磷酸氟1‑5份;四氟硼酸盐1‑3份;超纯水20‑30份。本发明中纤维素类增稠剂使体系整体的粘稠度增加,有利于粗蚀刻;同时气泡生长并留在硅表面上,蚀刻液很难进一步接触硅,使得衬底上蚀刻速率分布不均匀,硅的表面变粗糙。酸性磷酸氟的加入可以增加蚀刻液的润湿性能、稳泡性能以及代替氢氟酸的多重效果。本发明采用纤维素类增稠剂、酸性磷酸氟和四氟硼酸盐的组合,能够显著提高蚀刻速率,改善蚀刻后硅表面粗糙度,避免了较高蚀刻速率下硅晶片表面的镜面化。

主权项:1.一种硅晶片糙面减薄蚀刻液,其特征在于,按照重量份计算,包括如下组分:

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