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申请/专利权人：湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
摘要：本发明公开了一种应用于多电子束光刻装备的电子光学系统及制造方法，包括高压ASIC控制芯片、专用MEMS微孔阵列单元及传输线三个部分。其中专用MEMS微孔阵列单元作为核心部件，能够将入射在表面的电子束进行分束，大幅面扩展束流数量；高压ASIC控制芯片，利用传输线，将不同的电压加至专用MEMS微孔阵列旁边的金属膜层上；通过调整正背面各金属绝缘层之间的电压差，实现对入射电子束的聚焦、收束、偏转和投影等功能，最终能将束斑尺寸缩放至亚10纳米尺度，并能通过控制膜层数量灵活调整焦深，有利于电子光学系统的小型化。
主权项：1.一种应用于多电子束光刻装备的电子光学系统，其特征在于，包括低纹波高压ASIC控制芯片单元（1）、传输线（2）以及专用MEMS微孔阵列单元；所述低纹波高压ASIC控制芯片单元（1）通过传输线（2）与专用MEMS微孔阵列单元连接；所述专用MEMS微孔阵列单元作为核心部件，由基底（3）、正面多层金属介质薄膜（4）、正面多层金属介质微孔阵列（5）、正面多层金属介质台阶（6）、背面多层金属介质薄膜（7）、背面多层金属介质微孔阵列（8）、基底贯穿式通孔（9）及基底通孔侧壁钝化层（10）组成；基底（3）的两侧分别为正面多层金属介质薄膜（4）与背面多层金属介质薄膜（7），于正面多层金属介质薄膜（4）上制备正面多层金属介质微孔阵列（5），于背面多层金属介质薄膜（7）上制备背面多层金属介质微孔阵列（8）；正面多层金属介质微孔阵列（5）与背面多层金属介质微孔阵列（8）对准后形成基底贯穿式通孔（9），于基底贯穿式通孔（9）上制备基底通孔侧壁钝化层（10）；正面多层金属介质薄膜（4）的侧部设有正面多层金属介质台阶（6）；通过正面多层金属介质台阶（6）将正面多层金属介质微孔阵列（5）的各层金属与传输线（2）及低纹波高压ASIC控制芯片单元（1）连接。
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