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申请/专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要：本发明属于电子级多晶硅制备技术领域，具体涉及一种高纯多晶硅块清洗方法及其装置，包括如下步骤：S1、配制氢氟酸与硝酸质量比梯度依次降低的若干组初始清洗液；S2、将待清洗硅块，按照氢氟酸与硝酸质量比梯度降低的顺序在每组初始清洗液中依次清洗；S3、清洗若干批次硅块后，换酸，将氢氟酸与硝酸质量比最低的清洗液排出，添加与初始清洗液中氢氟酸与硝酸的质量比最高的清洗液等同的清洗液，其余组的清洗液顺序按照氢氟酸与硝酸的质量比由高到低，重新排列，得到若干组二次清洗液；S4、将待清洗硅块，按照氢氟酸与硝酸质量比梯度降低的顺序在每组二次清洗液中依次清洗；S5、重复步骤S2~S4，使清洗液循环使用。
主权项：1.一种高纯多晶硅块清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、配制氢氟酸与硝酸质量比梯度依次降低的若干组初始清洗液；S2、将待清洗硅块，按照氢氟酸与硝酸质量比梯度降低的顺序在每组初始清洗液中依次清洗；S3、清洗若干批次硅块后，换酸，将氢氟酸与硝酸质量比最低的清洗液排出，添加与初始清洗液中氢氟酸与硝酸的质量比最高的清洗液等同的清洗液，其余组的清洗液顺序按照氢氟酸与硝酸的质量比由高到低，重新排列，得到若干组二次清洗液；S4、将待清洗硅块，按照氢氟酸与硝酸质量比梯度降低的顺序在每组二次清洗液中依次清洗；S5、重复步骤S2～S4，使清洗液循环使用。
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权利要求：
百度查询： 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 一种高纯多晶硅块清洗方法及其装置
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