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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种基于磁霍尔效应的柔性突触晶体管及其制备方法，晶体管自下向上包括四层；底层为第一层，包括源极、漏极、半导体沟道、下浮栅和两个永磁区；第二层为上浮栅，上浮栅覆盖在半导体沟道表面，且与源极邻近；第三层为绝缘层，绝缘层覆盖在上浮栅、半导体沟道以及两个永磁区的表面；第四层为栅极，栅极位于绝缘层表面，且位置与半导体沟道所在区域对应；两个永磁区在半导体沟道区形成的磁场与半导体沟道中电流方向垂直，晶体管导通后，在霍尔效应的作用下，上浮栅聚集电子，下浮栅聚集空穴，最终实现感存算功能一体化集成的晶体管。
主权项：1.一种基于磁霍尔效应的柔性突触晶体管，其特征在于，自下向上包括四层；底层为第一层，包括源极、漏极、半导体沟道、下浮栅和两个永磁区；其中，半导体沟道覆盖在下浮栅上表面；源极和漏极相对的设置在半导体沟道两侧，下浮栅与漏极邻近；两个永磁区相对的设置在半导体沟道两侧，两个永磁区在半导体沟道区形成的磁场与半导体沟道中电流方向垂直；第二层为上浮栅，上浮栅覆盖在半导体沟道表面，且与源极邻近；第三层为绝缘层，绝缘层覆盖在上浮栅、半导体沟道以及两个永磁区的表面；第四层为栅极，栅极位于绝缘层表面，且位置与半导体沟道所在区域对应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种基于磁霍尔效应的柔性突触晶体管及其制备方法
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