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申请/专利权人：苏州锦艺新材料科技股份有限公司
摘要：本发明公开了中空多孔二氧化硅及其制备方法，所述中空多孔二氧化硅的比表面积＜15m2g，所述中空多孔二氧化硅包括蜂窝孔状壳层以及位于蜂窝孔状壳层内的中间大孔。本发明的中空多孔二氧化硅具有中间的大孔结构以及蜂窝孔状壳层中的蜂窝孔，两种孔隙配合，可以在降低二氧化硅密度的同时，保证二氧化硅的强度。另外，本实施方式中的中空多孔二氧化硅具有较小的比表面积，有利于界面损耗的降低，有利于满足高频高速的需要。
主权项：1.一种中空多孔二氧化硅，其特征在于，所述中空多孔二氧化硅的比表面积＜15m2g，所述中空多孔二氧化硅包括蜂窝孔状壳层以及位于蜂窝孔状壳层内的中间大孔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州锦艺新材料科技股份有限公司 中空多孔二氧化硅及其制备方法
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