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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种释放硅片边缘应力的方法，所属硅片加工技术领域，第一步：对晶棒裁切与检测，然后进行外径研磨后通过切片加工成硅片坯料。第二步：对硅片坯料进行圆边和表层研磨工序。第三步：硅片坯料进行化学腐蚀。第四步：硅片坯料完成腐蚀工艺后经过第一次热处理长膜完成背封工艺。第五步：将长好的AP膜先用去膜机去掉，再用TMAH药液把长好的LPCVD膜腐蚀掉，再重新进行热处理长膜工艺。第六步：对硅片坯料进行边缘抛光工艺，然后对硅片进行清洗及检验，最后将合格的硅片进行包装。具有操作便捷和运行稳定性好优点，解决了应力未完全释放引起碎片的问题。降低边抛碎片率，同时保证硅片边缘有更好的结构状态。
主权项：1.一种释放硅片边缘应力的方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：通过晶棒成长完成晶棒制造，接着进行晶棒裁切与检测，合格的晶棒进行外径研磨后通过切片加工成硅片坯料；第二步：对硅片坯料进行圆边和表层研磨工序；第三步：硅片坯料进行化学腐蚀，去掉以上几道工序加工后在晶片表面因加工应力而产生的一层损伤层；第四步：硅片坯料完成腐蚀工艺后经过第一次热处理长膜完成背封工艺，在热处理长膜过程先长LPCVD膜，接着长AP膜；第五步：将长好的AP膜先用去膜机去掉，再用TMAH药液把长好的LPCVD膜腐蚀掉，去膜后的硅片依次用1L的氨水、4L的双氧水、0.6LHF和0.04L的HF进行洗净，再重新进行热处理长膜工艺；第六步：对硅片坯料进行边缘抛光工艺，然后对硅片进行清洗及检验，最后将合格的硅片进行包装。
全文数据：
权利要求：
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