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申请/专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
摘要：一种共源极晶体管装置。共源极晶体管单元包含：扩散区、多个多晶硅栅极及源基极环。扩散区包含互相交错设置的源基极区及漏极区。多晶硅栅极横跨设置于扩散区上且各设置于源基极区及漏极区间，包含：低压栅极部分与第一及第二高压栅极部分。低压栅极部分包含2N个低压多晶硅栅极。第一及第二高压栅极部分分别对应低压栅极部分的第一侧以及第二侧间隔其中的一源基极区设置，且分别包含N+1个高压多晶硅栅极。源基极环环绕扩散区及多晶硅栅极，并电性耦接于源基极区。隔离环环绕共源极晶体管单元。基板环环绕隔离环。
主权项：1.一种共源极晶体管装置，包含：一共源极晶体管单元，包含：一扩散区，包含互相交错设置的多个源基极区以及多个漏极区；多个多晶硅栅极，横跨设置于该扩散区上且各设置于其中的所述多个源基极区以及其中的所述多个漏极区之间，包含：一低压栅极部分，包含2N个相邻设置的低压多晶硅栅极；和一第一高压栅极部分以及一第二高压栅极部分，分别对应该低压栅极部分的一第一侧以及一第二侧间隔其中的所述多个源基极区设置，且分别包含N+1个相邻设置的高压多晶硅栅极；及一源基极环，环绕该扩散区以及所述多个多晶硅栅极设置，并电性耦接于所述多个源基极区以接收一源基极电压；一隔离环，环绕该共源极晶体管单元设置，以接收一隔离电压；以及一基板环，环绕该隔离环设置，以接收一基板电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 瑞昱半导体股份有限公司 共源极晶体管装置
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