龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：富士电机株式会社
摘要：提供一种碳化硅半导体装置及其制造方法，抑制了电场缓和区的耐压性能下降。遍及有源部和耐压构造部地设置有漂移层，有源部具有：p型的基区，设置于漂移层的上表面侧；n型的主区，设置于基区的上表面侧；p型的埋入区，与基区相接地设置于漂移层的上表面侧；p型的基极接触区，与主区相接地设置于埋入区的上表面侧；栅极电极，设置于贯通主区和基区的沟槽内；主电极，与主区及基极接触区相接地设置，耐压构造部具有：由SiC构成的p型的电场缓和区，设置于漂移层的上表面侧；绝缘膜，设置于电场缓和区的上表面，由SiC构成的主区和基极接触区的各区中，至少以下部分即与主电极相接的部分包含3C‑SiC，电场缓和区由4H‑SiC构成。
主权项：1.一种碳化硅半导体装置，其中，具备有源部和以在俯视时包围所述有源部的周围的方式设置的耐压构造部，遍及所述有源部和所述耐压构造部地设置有由碳化硅构成的第一导电型的漂移层，所述有源部具有：由碳化硅构成的第二导电型的基区，其设置于所述漂移层的上表面侧；由碳化硅构成的第一导电型的主区，其设置于所述基区的上表面侧；由碳化硅构成的第二导电型的埋入区，其与所述基区相接地设置于所述漂移层的上表面侧；由碳化硅构成的第二导电型的基极接触区，其与所述主区相接地设置于所述埋入区的上表面侧；栅极电极，其隔着栅极绝缘膜设置于贯通所述主区和所述基区的沟槽的内侧；以及主电极，其与所述主区及所述基极接触区相接地设置，所述耐压构造部具有：由碳化硅构成的第二导电型的电场缓和区，其设置于所述漂移层的上表面侧；以及绝缘膜，其设置于所述电场缓和区的上表面，所述主区和所述基极接触区的各区中，至少以下部分即与所述主电极相接的部分包含3C结构的碳化硅，所述电场缓和区由4H结构的碳化硅构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 富士电机株式会社 碳化硅半导体装置及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号