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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明属于QLED阵列器件和光刻图案化技术领域，特别涉及一种基于膦光敏剂无胶光刻空穴传输层和电子传输层的方法，本发明首次使用含有有机膦的分子作为光敏剂，以三苯基膦和三2‑吡啶基膦为例，在不使用高分子光刻胶以及室温紫外曝光的简单条件下实现了对包括聚[9,9‑二辛基芴‑2,7‑二基‑共‑4,4′‑N‑4‑仲丁基苯基二苯胺]、聚[4,4′‑N‑4‑仲丁基苯基二苯胺]等空穴传输层材料的高分辨率光刻图案化，以及对包括MgZnO纳米晶、ZnO纳米晶等电子传输层材料的高分辨率光刻图案化，该技术可以实现空穴传输层和电子传输层图案形貌的精确调控，所形成图案具有高分辨率和表面形貌平整均一的特点，对搭建高性能和长寿命QLED具有重要意义，并且拓宽了传统无胶光刻技术的应用范围。
主权项：1.膦光敏剂在光刻空穴传输层或电子传输层中的应用，其特征在于，所述膦光敏剂包括如式Ⅰ所示的化合物： 其中R1为烷基、烷氧基、羰基、醚键、苯环或芳杂环；R2为烷基、烷氧基、羰基、醚键、苯环或芳杂环；R3为烷基、烷氧基、羰基、醚键、苯环或芳杂环。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 一种基于膦光敏剂无胶光刻空穴传输层和电子传输层的方法
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